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典型半导体工艺及使用气体
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发布日期：2021-05-27 15:27
半导体工艺 | 工艺名称 | 反应气体种类 | 反应方程式 | 推荐尾气处理器类型 | 协微尾气处理器 |
CVD | APCVD | TEOS，O2 | Si(OC2H5)4 + 12O2 = 8CO2 + SiO2 + 10H2O | 等离子体 水洗式 | NSPW600 |
SACVD | TEOS，O3，TEB， TEPO，TMB | Si(OC2H5)4 + 12O2 = 8CO2 + SiO2 + 10H2O 2(C2H5)3B + 21O2 = 12CO2 + B2O3 + 15H2O 2(C2H5O)3PO + 18O2 = 12CO2 + P2O5 + 15H2O C16H20N2 + 21O2 = 16CO2 + N2 + 10H2O | |||
LPCVD(Diff) | TEOS，O2，N2O，TEB，TMB
TMP，TEPO，PH3，B2H6，DCS，NH3，HCD | Si(OC2H5)4 + 12O2 = 8CO2 + SiO2 + 10H2O 2(C2H5O)3B + 18O2 = 12CO2 + B2O3 + 15H2O 2(C2H5O)3PO + 18O2 = 12CO2 + P2O5 + 15H2O C16H20N2 + 21O2 = 16CO2 + N2 + 10H2O C6H14O3 + 8O2 = 6CO2 + 7H2O | |||
PECVD | O2，TEOS [SiO(C2H5)4)]
SiH4，NH3，N2 | SiH4 + 2O2 = SiO2 + 2H2O
4NH3 + 3O2 = 2N2 + 6H2O | |||
HDP CVD | SiH4, O2，H2 | SiH4 + 2O2 = SiO2 + 2H2O 2H2 + O2 = 2H2O | |||
MOCVD | TDMAT, TDEAT, NH3 | Ti[N(CH3)2]4 + 15O2 = 8 CO2 + 12H2O + TiO2 + 2N2 Ti[N(C2H5)2]4 + 27O2 = 16CO2 + 20H2O + TiO2 + 2N2 | |||
ALD | TMA，O2 | 2C3H9Al + 12O2 = 6CO2 + 9H2O + Al2O3 （粉尘） | |||
Diff | Silicon NITRIDE LPCVD | DCS，NH3，HCD | SiH2Cl2 + O2 = SiO2 + 2HCl
4NH3 + 3O2 = 2N2 + 6H2O Si2Cl6 + 4H2O = 2SiO2 + 6HCl + H2 | 电加热 水洗式 | NSHW600 |
Silicon Oxide LPCVD (TEOS) | TEOS，O2，N2O，TEB，TMB，TMP，TEPO，PH3，B2H6 | Si(OC2H5)4 + 12O2 = 8CO2 + SiO2 + 10H2O 2(C2H5O)3B + 18O2 = 12CO2 + B2O3 + 15H2O 2(C2H5O)3PO + 18O2 = 12CO2 + P2O5 + 15H2O 2PH3 + 4O2 = P2O5 + 3H2O B2H6 + 4O2 = B2O5 + 3H2O | |||
LPCVD Poly | SiH4 | SiH4 + 2O2 = SiO2（粉尘） + 2H2O | |||
Dry Etch | Metal Etch | BCl3，Cl2，NF3 | BCl3 + 3H2O = H3BO3 + 3HCl Cl2 + H2O = HClO + HCl 2NF3 + 6e = N2 + 6F- | 等离子体 水洗式/ 等离子体 无水式 | NSPW600/ NPCR1000T2 |
Poly Etch | BCl3，Cl2，NF3 | BCl3 + 3H2O = H3BO3 + 3HCl Cl2 + H2O = HClO + HCl 2NF3 + 6e = N2 + 6F- | |||
Dielectric Etch | CF4， SF6，CH3F，CHF3 | CF4+ O2 + 4 e =CO2 + 4F-
SF6 + O2 + 6e = SO2 + 6F- 2CH3F + 3O2 = 2CO2 + 2H2O + 2HF 4CHF3 + 5O2 + 12e = 12CO2 + 2H2O +12F- | |||
Silicon Etch | BCl3，Cl2，NF3 | BCl3 + 3H2O = H3BO3 + 3HCl Cl2 + H2O = HClO + HCl 2NF3 + 6e = N2 + 6F- | |||
IMP | Implantation | PH3，BF3，AsH3，B2H6 | 2PH3 + 3CuO = Cu3P2 + 3H2O 2AsH3 + 3CuO = Cu3As + 6H2O + As | 干式吸附式 | NSOD100D |
第三代化合物半导体 | GaN MOCVD | H2，NH3，SiH4，TMA | 2H2 + O2 = 2H2O
4NH3 + 3O2 = 2N2 + 6H2O SiH4 + 2O2 = SiO2 + 2H2O 2C3H9Al + 12O2 = 6CO2 + 9H2O + Al2O3 | 等离子体 点火 电热燃烧 水冷式 | NSGB1.5K/3K |
GaAs MOCVD | H2，NH3，AsH3，TMGa | 2H2 + O2 = 2H2O 4NH3 + 3O2 = 2N2 + 6H2O 2AsH3 + 3CuO = Cu3As + 6H2O + As 2C3H9Ga + 12O2 = 6CO2 + 9H2O + Ga2O3 | 干式吸附式+等离子体点火电热燃烧水冷式 | NSOD200D +NSGB1.5K/3K | |
SiC Epitaxy | H2，HCl，DCS，PH3 | 2H2 + O2 = 2H2O
SiH2Cl2 + O2 = SiO2 +2HCl 2PH3 + 4O2 = P2O5 + 3H2O | 等离子体 点火 电热燃烧 水洗式 | NSGW1.5K | |
厂务特气房 | PFC气体 | CF4， SF6，C4H8，NF3，C2F6，CH3F，CHF3 | CF4 + O2 + 4 e = CO2 + 4F-
SF6 + O2 + 6e = SO2 + 6F- 2CH3F + 3O2 = 2CO2 + 2H2O + 2HF 4CHF3 + 5O2 + 12e = 12CO2 + 2H2O +12F- | 等离子体水洗式/ 等离子体 干式吸附式 | NSPW600/ NPCR1000T2 |
可燃性气体 | SiH4，B2H6，PH3，TEOS | SiH4 + 2O2 = SiO2 + 2H2O
B2H6 + 4O2 = B2O5 + 3H2O 2PH3 + 4O2 = P2O5 + 3H2O Si(OC2H5)4 + 12O2 = 8CO2 + SiO2 + 10H2O | 电加热 水洗式 | NSHW600 | |
腐蚀性气体 (氧化性气体) | Cl2，BCl3，HBr | Cl2 + H2O = HClO + HCl BCl3 + 3H2O = H3BO3 + 3HCl | 电加热 水洗式/ 干式吸附式 | NSHW600/ NSOD100S | |
毒性气体 | AsH3，PH3，BF3，B2H6，H2Se | 2AsH3 + 3CuO = Cu3As + 6H2O + As 2PH3 + 3CuO = Cu3P2 + 3H2O 2BF3 + 4Ca(OH)2 = 3CaF2 + CaB2O4 + 4H2O B2H6 + 3CuO = Cu3B2 + 3H2O H2Se + 2NaOH = Na2Se + H2O | 干式吸附式 | NSOD100S | |
碱性气体 | NH3 | NH3 + MSO4 = M(NH3)4SO4 | 干式吸附式 | NSOD100S |
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